diff --git a/_posts/2024-09-19-Memory-stick.md b/_posts/2024-09-19-Memory-stick.md index bddd038..9361619 100644 --- a/_posts/2024-09-19-Memory-stick.md +++ b/_posts/2024-09-19-Memory-stick.md @@ -42,36 +42,180 @@ published: true ## 三星 -[内存官网](https://semiconductor.samsung.com/cn/dram/ddr/){:target="_blank"} +[三星内存官网](https://semiconductor.samsung.com/cn/dram/ddr/){:target="_blank"} [DDR4 Product Guide](https://download.semiconductor.samsung.com/resources/product-guide/DDR4_Product_guide_May.18.pdf){:target="_blank"} -![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/samsung-sdram-module-information.png' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-marked.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="585" height="auto"} -![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/samsung-label-example.png' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-back.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="585" height="auto"} -https://zhuanlan.zhihu.com/p/335016746 +如上两图是 32G ddr5 笔记本内存的正反面,几乎所有的内存条都包含两个主要的信息区:颗粒信息(橙色框)和标签信息(红色框)。 +* 颗粒信息是内存颗粒厂商(主要有三星、海力士、镁光、长江存储等)标识颗粒生产日期、批次等信息。 +* 标签是内存条品牌厂商标识内存相关信息,内存条品牌厂商自己并不一定生产内存颗粒,而是使用内存颗粒厂商的产品搭配 PCB 板、控制芯片进行组装,比如金士顿、海盗船、联想、芝奇等。 -https://tieba.baidu.com/p/7820154100 +一般地,标签中的编号也会包含部分颗粒信息,如果这部分交叉的信息对不上,那么基本可以确定内存条为假条子。当然假条子的说法可能并不准确,毕竟内存颗粒全世界就那么几家厂商能生产, +这种东西可不是深圳山寨小作坊就能雕刻出来的。信息对不上只是表明这肯定不是原厂出厂状态,存在人为二次加工,这类假条子大多有虚假指标、品质不稳定、没有售后保障等问题。
+价格相差不太大的情况下,建议优先购买内存颗粒厂商自有的品牌内存条,近水楼台先得月的道理大家都懂,毕竟颗粒生产过程中有良品率、同批次不同体质等问题。 -颗粒信息 +由于三星官方目前没有放出 ddr5 相关产品文档,咱们结合目前的 +[DDR4 Product Guide](https://download.semiconductor.samsung.com/resources/product-guide/DDR4_Product_guide_May.18.pdf){:target="_blank"} +来解读 ddr5 内存条上相关编号的意义。 -sec 425 +### 标签 -sec 是 Samsung Electronics Co. 首字母的缩写 -425 指的是生产日期 24 年第 25 周 +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/samsung-label-example.png' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} -二维码不同 +`DDR5 SODIMM 80CE0123080469059F` +* DDR5 SODIMM - 第 5 代笔记本内存 +* 80CE01**2308**0469059F + * 80CE01 - 生产批号 + * 2308 - 生产日期 23 年 08 周 + * 0469059F - 序列号,这几位在 CPUZ 的 SPD 选项中应该是一致的 + +`32GB 2Rx8 PC5-5600B-SB0-1010-XT` +* 32GB - 内存容量 +* 2Rx8 - Rank + * 2 - 2 个 Rank(R 指 Rank),https://blog.csdn.net/haolianglh/article/details/51935654 + * 8 - 内存颗粒位宽 +* PC5,5 - 第 5 代 ddr,内存电压 1.1V(4 代为 1.2V) +* 5600B + * 5600 - 内存频率 5600Mb/s + * B - 内存频率等级。2400Mb/s 对应字母 T,5600Mb/s 对应 B,后续还会有 6400Mb/s 和 7200Mb/s,对应字母暂时未知。 +* SB0 + * S - 内存模组类型,SODIMM,no ECC + * B0 - [JEDEC reference design for Raw Card B](https://www.jedec.org/standards-documents/focus/memory-module-designs-dimms/DDR5/262-pin%20Unbuffered%20SODIMMs){:width="750" height="auto"} +* 1010 - 暂时未知 +* XT - JEDEC SPD(Serial Presence Detect) Revision + +`M425R4GA3BB0-CWM0D NB0X` +* M - Memory Module +* 4 - 笔记本内存条 (3 为台式机内存条) +* 25 - 针脚:262pin Unbuffered SODIMM +* R - DRAM Type:DDR5 SDRAM(1.1V VDD),如果是字母 A 则对应 DDR4 SDRAM(1.2V VDD) +* 4G - memory depth 4Gb +* A - 8 Banks & POD-1.1V(4:16 Banks & POD-v1.2V) +* 3 - Bit Organization 内存颗粒位宽,0:x4,3:x8,4:x16 +* B - Component Revision,这里的 B 就是经常说的 B-die,其实就是第 3 次修正版本的意思。理论上修正版本越高越完善,不知道为啥很多人迷信 B-die?? +* B - FBGA 封装 (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip) +* 0 - PCB Revision,0 - None +* C - Commercial Temperature 商用级工作温度(0°C~85°C) +* WM - 内存频率 5600MHz(QK 为 4800MHz) +* 0D - PMIC(电源管理 IC),0D 是 IDT P8911,0L 是三星 S2FPC01,组双通道时最好选择相同的 PMIC +* NB0X - 暂时未知,结合众多实物来看 0D-NB0X 和 0L-SX2Y 是成对出现的。 + +这一行信息都可以在三星官网上查询 https://semiconductor.samsung.com/cn/dram/module/sodimm/, +比如 [M425R4GA3BB0-CWM](https://semiconductor.samsung.com/cn/dram/module/sodimm/m425r4ga3bb0-cwm/){:target="_blank"} -颗粒白色字体偏黄,纯白色一定假 +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/samsung-sdram-module-information.png' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} -颗粒日期和贴纸日期相差不太远。以前大概是4个周以内,但ddr5滞销,相差好几个月的也有,所以基本不再作为判断方法,但是颗粒日期一定是小于或等于贴纸日期的。 +`UKCA` 是英国佬儿退出欧盟后,针对英国市场的一个认证标志。
+标签最右边的二维码可以使用支付宝扫一扫,扫出来的信息应该和标签一致,比如上面的二维码扫描信息: +``` +(L)32GB 2Rx8 PC5-5600B-SB0-1010-XT(S)80CE0123080469550F(P)M425R4GA3BB0-CWMOD(M)301GL10 +``` + +### 颗粒 + +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/samsung-sdram-memory-information.png' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} + +```txt + SEC 307 + K4RAH08 +6VB BCWM +``` + +`SEC 307` +* sec - Samsung Electronics Co. 首字母的缩写 +* 307 - 颗粒生产日期为 23 年 07 周 + +`K4RAH08` +* K - Samsung Memory +* 4 - DRAM +* R - DRAM Type:DDR5 SDRAM(1.1V VDD),如果是字母 A 则对应 DDR4 SDRAM(1.2V VDD),与标签第三行的第 5 位相同 +* AH - Density 内存颗粒容量,4G:4Gb,8G:8Gb,AG:16Gb,BG:32Gb,暂时不知 AH 代表多少 Gb,猜测应该是 2Gb +* 08 - Bit Organization 内存颗粒位宽,与标签第三行第 9 位的 Bit Organization 相对应 + +`6VB BCWM` +* 6 - 8 Banks,5:16 Banks,与标签第三行第 8 位相对应 +* V - VDD、VDDQ 电压接口:POD(1.1V,1.1V),W - POD(1.2V,1.2V) +* B - Revision,B-die,和标签第三行第 10 位相同 +* B - FBGA 封装 (Halogen-free & Lead-free, Flip Chip),和标签第三行第 11 位相同 +* C - 商用级工作温度(0°C~85°C),和标签第三行第 13 位相同 +* WM - 内存频率 5600MHz(QK 为 4800MHz),和标签第三行第 14&15 位相同 + +颗粒信息的第二行和第三行合起来称为物料号(MATERIAL NUMBER),可在官网查询 https://semiconductor.samsung.com/cn/dram/ddr/ddr5/,比如 [K4RAH086VB-BCWM](https://semiconductor.samsung.com/cn/dram/ddr/ddr5/k4rah086vb-bcwm/){:target="_blank"} + +颗粒信息第四行(底部)目前不知道有何定义。 + +辨别三星内存真假的几个关键点: + +1. 标签信息和颗粒信息的容量、频率一致,这一点对所有品牌的内存条都适用。 +2. 颗粒日期必定小于或等于标签中的生产日期,内存条品牌厂商一定是先有内存颗粒再进行组装,颗粒日期大于标签日期不合常理。 + 以前颗粒日期和标签日期大多相差一个月以内,随着 ddr5 滞销,相差好几个月的也有。但是如果日期相差一年以上,几乎也可以确定为假。 + 内存颗粒厂商如果滞销,它们往往会减产,而不是一昧生产堆积。所以几乎不太可能出现相差一年以上。同样地,这一点对所有品牌的内存条都适用。 +3. 所有的内存颗粒二维码都是独一无二,如果颗粒二维码图案一致必定为假。 +4. 三星内存颗粒字体白色偏黄,纯白色字体一定为假。 +5. 三星内存条 PCB 板绿色偏黄,绿油油的 PCB 板一定为假(海力士的 PCB 板倒是绿得比较纯正)。三星内存条也没有黑色 PCB 板,黑色 PCB 板目前多见于英睿达、金士顿、海盗船这几个品牌。 +6. 三星内存条 PCB 板上的电阻白色带黄,纯白电阻基本为假。 + + + + + ## 海力士 +[海力士内存官网文档](https://product.skhynix.com/support/downloads/techs.go){:target="_blank"} + +[DDR5 Module](https://mis-prod-koce-producthomepage-cdn-01-blob-ep.azureedge.net/web/TR-20230620152301091.pdf){:target="_blank"} + +[DDR5 Component](https://mis-prod-koce-producthomepage-cdn-01-blob-ep.azureedge.net/web/TR-20230620152301412.pdf){:target="_blank"} + +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/skhynix-memory-stick.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="585" height="auto"} + +### 标签 + +海力士 ddr5 标签除了关键的 PN(Part Number)有着自己的识别规则,其他的都跟三星一样。
+标签最右边的二维码也可以使用支付宝扫一扫,信息应该和标签上一致,比如上面的二维码扫描信息: +``` +(L)32GB 2Rx8 PC5-5600B-SB0-1010-XT(S)80AD0123237681804D(P)HMCG88AGBSA095N +``` + +Part Number 含义如下: + +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-module.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} + +### 颗粒 + +```txt +SKhynix +H5CG48AGBD +X018 322A +``` + +第三行的 `322` 表示颗粒生产日期 23 年 22 周,Material Number `H5CG48AGBDX018` 含义如下: + +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-component.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} ## 镁光 +镁光旗下包含镁光和英睿达两个内存品牌,其中镁光主要供应 OEM,英睿达面向个人消费市场。 + +https://www.micron.com/products/memory/dram-components/ddr5-sdram + +https://www.micron.com/products/memory/dram-modules/sodimm + +https://www.crucial.com/catalog/memory + +[Micron Module Part Numbering Systems](https://www.micron.com/content/dam/micron/global/public/products/part-numbering-guide/numsdrammod.pdf){:target="_blank"} + +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/micron-memory-stick.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="585" height="auto"} + +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/crucial-memory-stick.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="585" height="auto"} + +![secret-box]({{ '/styles/images/memory-stick/micron-module-part-number.jpg' | prepend: site.baseurl }}){:width="750" height="auto"} + 英睿达 图中左边二维码下面的数字就是 物料号 (MATERIAL NUMBER),物料号下面的是 零件号 (PART NUMBER) @@ -111,8 +255,11 @@ https://www.toolify.ai/tw/hardwaretw/%E5%93%AA%E4%B8%80%E7%A8%AEcpu%E5%8C%85%E8% https://www.compuram.biz/ +最后,购买内存条避开发货地为深圳的商家,遇上假货的几率能骤减 90%。 + - \ No newline at end of file + + \ No newline at end of file diff --git a/styles/images/memory-stick/SKhynix-ddr5-component.pdf b/styles/images/memory-stick/SKhynix-ddr5-component.pdf new file mode 100644 index 0000000..e4e8a65 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/SKhynix-ddr5-component.pdf differ diff --git a/styles/images/memory-stick/SKhynix-ddr5-module.pdf b/styles/images/memory-stick/SKhynix-ddr5-module.pdf new file mode 100644 index 0000000..88acfea Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/SKhynix-ddr5-module.pdf differ diff --git a/styles/images/memory-stick/crucial-memory-stick.jpg b/styles/images/memory-stick/crucial-memory-stick.jpg new file mode 100644 index 0000000..83c8fc4 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/crucial-memory-stick.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/micron-memory-stick.jpg b/styles/images/memory-stick/micron-memory-stick.jpg new file mode 100644 index 0000000..7340af3 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/micron-memory-stick.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/micron-module-part-number.jpg b/styles/images/memory-stick/micron-module-part-number.jpg new file mode 100644 index 0000000..9c02df8 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/micron-module-part-number.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-back.jpg b/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-back.jpg new file mode 100644 index 0000000..fabc358 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-back.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-marked.jpg b/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-marked.jpg new file mode 100644 index 0000000..8d4d692 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick-marked.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick.jpg b/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick.jpg new file mode 100644 index 0000000..4f2836b Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/samsung-memory-stick.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-component.jpg b/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-component.jpg new file mode 100644 index 0000000..37409d0 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-component.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-module.jpg b/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-module.jpg new file mode 100644 index 0000000..a98b729 Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/skhynix-ddr5-module.jpg differ diff --git a/styles/images/memory-stick/skhynix-memory-stick.jpg b/styles/images/memory-stick/skhynix-memory-stick.jpg new file mode 100644 index 0000000..64dcacb Binary files /dev/null and b/styles/images/memory-stick/skhynix-memory-stick.jpg differ